众所周知，虽然在开通过程中di/dt可降低IGBT的电压，但在关断过程中它也会增大IGBT 的电压过冲。因此，直流母线电感的增加会增大关断损耗。如图3所示，关断的开关事件可分为两个阶段。
图3：小功率IGBT的关断特性：上图显示的是损耗/时间的曲线（实线：L=23nH、虚线：L=100nH）；下图显示的是电压和电流曲线。
小电感和大功率电感设置的电流波形在时间戳b的位置交叉。在第一开关阶段直到交叉点b，采用大电感设置升高的过压会使损耗增至36.3mJ，而小电感设置的损耗为30.8mJ。不过，在b点之后，大电感设置会产生较短的电流拖尾，这样该阶段的损耗会比小电感设置的损耗低1.8mJ。这一结果主要受电流拖尾降低的影响一体电感打样 ，即更快速地达到一体电感器制作10%的值。
随着杂散电感的增大，IGBT的开通损耗会降低，二极管损耗则会增大（如图4所示）。图4显示了在小电感和大电感条件下二极管恢复特性的对比。
图4：二极管恢复特性：上图显示的是针对两个电感的损耗/时间曲线（实线：L=23nH、虚线：L=100nH），下图显示的是电压和电流曲线贴片电感器工厂。
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