}
void ROMDS1820(void) //跳过ROM匹配
{
#pragma asm
MOV A,#0CCH
MOV R2,#8
CLR C
WR1:
CLR P3_7
MOV R3,#6
DJNZ R3,$
RRC A
MOV P3_7,C
MOV R3,#23
DJNZ R3,$
SETB P3_7
NOP
DJNZ R2,WR模压电感器1
SETB P3_7
#pragma endasm
}
void TMVDS1820(void) //温度转换指令
{
#pragma asm
MOV A,#44H
MOV R2,#8
CLR C
WR2:
CLR P3_7
MOV R3,#6
DJNZ R3,$
RRC A
MOV P3_7,C
MOV R3,#23
DJNZ R3,$
SETB P3_7
NOP
DJNZ R2,WR2
SETB P3_7
#pragma endasm
}
void TMRDS1820(void) //读出温度指令
{
#pragma asm
MOV A,#0BEH
MOV R2,#8
CLR C
WR3:
CLR P3_7
MOV R3,#6
DJNZ R3,$
RRC A
MOV P3_7,C
MOV R3,#23
DJNZ R3,$
SETB P3_7
NOP
DJNZ R2,WR3
SETB P3_7
#pragma endasm
}
void TMWDS1820(void) //写入温度限制指令
{
#pragma asm
MOV A,#04EH
MOV R2,#8
CLR C
WR13:
CLR P3_7
MOV R3,#6
DJNZ R3,$
RRC A
MOV P3_7,C
MOV R3,#23
DJNZ R3,$
SETB P3_7
NOP
DJNZ R2,WR13
SETB P3_7
#pragma endasm
}
void TMREDS1820(void) //COPY RAM to E2PRAM
{
#pragma asm
MOV A,#48H
MOV R2,#8
CLR C
WR33:
CLR P3_7
MOV R3,#6
DJNZ R3,$
RRC A
MOV P3_7,C
MOV R3,#23
DJNZ R3,$
SETB P3_7
NOP
DJNZ R2,WR33
SETB P3_7
#pragma endasm
}
void TMERDS1820(void) //COPY E2PRAM to RAM
{
#pragma asm
MOV A,#0B8H
MOV R2,#8
CLR C
WR43:
CLR P3_7
MOV R3,#6
DJNZ R3,$
RRC A
MOV P3_7,C
MOV R3,#23
DJNZ R3,$
SETB P3_7
NOP
DJNZ R2,WR43
SETB P3_7
#pragma endasm
}
void WriteDS1820(void)电感生产 //写入温度限制值
{
#pragma asm
MOV A,26H //发出4EH写ROM指令后连发两个字节分别为上下限
MOV R2,#8
CLR C
WR23:
CLR P3_7
MOV R3,#6
DJNZ R3,$
RRC A
MOV P3_7,C
MOV R3,#23
DJNZ R3,$
SETB P3_7
NOP
DJNZ R2,WR23
SETB P3_7
#pragma endasm
}
void ReadDS1820(void) //读出温度值
{
#pragma asm
MOV R4,#3 ; 将温度高位和低位，高温限制位从DS18B20中读出
MOV R1,#29H ; 低位存入29H(TEMPER_L),高位存入28H(TEMPER_H)，高温限制位存入27H(TMRomV)
RE00:
MOV R2,#8
RE01:
CLR C
SETB P3_7
NOP
NOP
CLR P3_7
NOP
NOP
NOP
SETB P3_7
MOV R3,#09
RE10:
DJNZ R3,RE10
MOV C,P3_7
MOV R3,#23
RE20:
DJNZ R3,RE20
电感电容滤波器
RRC A
DJNZ R2,RE01
MOV @R1,A
DEC R1
DJNZ R4,RE00
#pragma endasm
}
void Delay_510(void) //延时510微秒
{
#pragma asm
MOV R0,#7DH
MOV R1,#02H
TSR1:
DJNZ R0,TSR1
MOV R0,#7DH
DJNZ R1,TSR1
#pragma endasm
}
void Delay_110(void) //延时110微秒
{
#pragma asm
MOV R0,#19H
MOV R1,#02H
TSR2:
DJNZ R0,TSR2
MOV R0,#19H
DJNZ R1,TSR2
#pragma endasm
}
void Delay_10ms(void) //延时10ms
{
#pragma asm
MOV R0,#19H
MOV R1,#0C8H
TSR3:
DJNZ R0,TSR3
MOV R0,#19H
DJNZ R1,TSR3
#pragma endasm
}
void Delay_4s(void) //延时4s
{
#pragma asm
MOV R2,#28H
TSR5:
MOV R0,#0FAH
MOV工字电感器 R1,#0C8H
TSR4:
DJNZ R0,TSR4
MOV R0,#0FAH
DJNZ R1,TSR4
DJNZ R2,TSR5
#pragma enda共模电感器sm
}
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利用FPGA 控制模块，设计了OLED 真彩色动态图像驱动控制电路。介绍采用FPGA 实现OLED 外围控制电路和256 级灰度的方法，并分析电路中模块的作用及整个电路的工作过程。电路系统采用基于Al (1)使用反向积分器而没有使用高通滤波电路，使得调理电路通道带宽的低频截止频率不方便调节，不能有效滤除l～10Hz的低频噪声。(2)电极片极化电势差异会导致初级放大的输出和参考 功率转换开关频率一直在不断提高，以便最大限度地提升功率密度，软开关技术如零电压开关（ZVS）正逐渐普及以进一步提高开关频率。随着开关频率的增大，功率MOSFET的寄生特性不再可以忽略不计。对于采
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