| 51、 远端容性负载会增加信号的上升时间。10-90 上升时间约是（100xC）PS，其中C 的单位是PF。
52、 如果突变的电容小于0.004XRT，则可能不会产生问题。
53、 50 欧姆传输线中拐角的电容（Ff）是线宽（MIL）的2 倍。
54、 容性突变会使50%点的时延约增加0.5XZ0XC。
55、 如果突变的功率电感（NH）小于上升时间（NS）的10 倍，则不会产生问题。
56、 对上升时间少于1NS 的信号，回路功率电感约为10NH 的轴向引脚电阻可能会产生较多的反射噪声，这时可换成片式电阻。
57、 在50 欧姆系统中，需要用4PF 电容来补偿10NH 的电感。
58、 1GHZ 时，1 盎司电感铜线的电阻约是其在DC 状态下电阻的15 倍。
59、 1GHZ 时，8MIL 宽的线条的电阻产生的衰减电感器生产厂家与介质此材料产生的衰减相当，并且介质材料产生的衰减随着频率变化得更快。
60、 对于3MIL或更宽的线条而言，低损耗状态全是发生在10MHZ频率以上。在低损耗状态时，特性阻抗以及信号速度与损耗和频率无关。在常见的级互连中不存在由损耗引起的色散现象。
61、 -3DB 衰减相当于初始信号功率减小到50%，初始电压幅度减小到70%。
62、 -20DB 衰减相当于初始信号功率减小到1%，初始电压幅度减小到10%。
63、 当处于趋肤效应状态时，信号路径与返回路径的单位长度串联约是（8/W）Xsqrt（f）（其中线宽W:MIL;频率F:GHZ）。
64、 50 欧姆的传输线中，由导体产生的单位长度衰减约是36/（Wz0）DB/IN。
65、 FR4 的耗散因子约是0.02。
66、 1GHZ 时，FR4 中由介质材料产生的衰减约是0.1DB/IN，并随频率线性增加。
67、 对于FR4 中的8MIL 宽、50 欧姆传输线，在1GHZ 时，其导体损耗与介质材料损耗相等。
68、 受损耗因子的制约，FR4 互连线（其长是LEN）的带宽约是30GHZ/LEN。
69、 FR4 互连线可以传播的最短时间是10PS/INxLEN。
70、 如果互连线长度（IN）大于上升时间（NS）的50 倍，则FR4 介质板中由损耗引起的上升边退化是不可忽视的。
71、 一对50 欧姆微带传输线中，线间距与线宽相等时，信号线间的耦合电容约占5%。
72、 一对50 欧姆微带传输线中，线间距与线宽相等时，信号线间的耦合电感约占15%。
73、 对于1NS 的上升时间，FR4 中近端噪声的饱和长度是6IN，它与上升时间成比例。
74、 一跟线的负载电容是一个常数，与附近其他线条的接近程度无关。
75、 对于50 欧姆微带线，线间距与线宽相等时，近端串扰约为5%。
76、 对于50 欧姆微带线，线间距是线宽的2 倍时，近端串扰约为2%。
77、 对于50 欧姆微带线，线间距是线宽的3 倍时，近端串扰约为1%。
78、 对于50 欧姆带状线，线间距与线宽相等时，近端串扰约为6%。
79、 对于50 欧姆带状线，线间距是线宽的2 倍时，近端串扰约为2%。
80、 对于50 欧姆带状线，线间距是线宽的3 倍时，近端串扰约为0.5%。
81、 一对50 欧姆微带传输线中，间距与线宽相等时，远端噪声是4%Xtd/rt。如果线时延是1ns，上升时间时0.5ns，则远端噪声是8%。
82、 一对50 欧姆微带传输线中，间距是线宽的2 倍时，远端噪声是2%Xtd/rt。如果线时延是1ns，上升时间时0.5ns，则远端噪声是4%。
83、 一对50欧姆微带传输线中，间距是线宽的3 倍时，远端噪声是1.5%Xtd/rt。如果线时延是1ns，上升时间时0.5ns，则远端噪声是4%。
84、 带状线或者完全嵌入式微带线上没有远端噪声。
85、 在50 欧姆总线中，不管是带状线还是微带线，要使最怀情况下的远端噪声低于5%，就必须保持线间距大于线宽的2 倍。
86、 在50 欧姆总线中，线间距离等于线宽时，受害线上75%的窜扰来源于受害线两边邻近的那两跟线。
87、 在50 欧姆总线中，线间距离等于线宽时，受害线上95%的窜扰来源于受害线两边距离最近的每边各两根线条。
88、 在50 欧姆总线中，线间距离是线宽的2 倍时，受害线上100%的窜扰来源于受害线两边邻近的那两根线条。这是忽略与总线中其他所有线条间的耦合。
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