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但根据本文前述的波导理论，屏蔽效能不仅与屏蔽上开口尺寸也与开口数有关，开孔越大、数越多则 效能降低得越厉害。
RFMD开发出一种已申请了专利的MicroShield集成RF屏蔽替代技术。该集成屏蔽把在一个封装好的半导体注模填料的外部再包裹上一层薄金属作为整个组装工艺的最后步骤。采用这种技术实现的屏蔽对模组高度的影响微乎其微且在降低EMI和RFI辐射的生产中可重复进行。
为确证MicroShield技术的超卓能效，在一个测试载体上，采用RF3178 TxM对辐射进行了测试(图1)。
测试结果清楚表明，两种屏蔽技术在性能上差别显著：MicroShield明显优于嵌入式屏蔽技术。平均看，在辐射衰减方面，MicroShield集成RF屏蔽技术比嵌入式技术优于15dB。
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