| 但这个方案会有一些问题，首先高压LDO由于工艺尺寸较大（为了承受高输入电压），导通电阻RDS（ON）会比较大，诺基亚适配器的输出电压会随功率电感输出电流增大而逐渐降低，充电电流越大，输出电压越低，过大的LDO导通电阻会使电压进一步降低，而LDO后面的充电模块也有一定的导通压降，这样就可能会有加到电池上的电压太低而使电池充不满的情况。另外LDO多采用SOT23-5L的封装形式，高输入电压充电时在LDO内部的功耗比较大，散热会存在问题。没有OVP保护功能、整个方案的占板面积大、成本高也都是这个方案的缺点，所以一个适用于诺基亚适配器的单芯片手机充电系统方案是设计人员迫切需要的。
图6：适用于诺基亚适配器的单芯片手机充电系统方案。
而上海艾为推出的降压OVP——AW3208是专门针对诺基亚适配器推出的一款OVP芯片。AW3208的OVP电压高达10.5V，对于输出电压在8～9V的诺基亚适配器，AW3208工作在降压的LDO模式，输出给手机平台充电模块的电压为5.25V（CHRIN电压），保证手机平台的充电模块可以正常充电，而对于输出电压在5～6V的适配器，AW3208的输出模式为直通模式，尽可能的减小导通压降，即使使用输出电压比较低的适配器，也确保能电感厂家把电池充满。
对于输出电压比较高的适配器，工作在LDO模式的AW3208充电时内部功耗会比较大，除了具备过温保护功能和过流限流功能外，AW3208还集成了创新的K-Charge技术，充电时会持续监测芯片的结温，芯片结温升高到一定值后若继续升高，则芯片会减小输出电流以限定芯片内部功耗，尽量避免芯片结温继续升高至进入反复的过热保护状态，从而解决不能充电或充电时间过长的问题。
另外基于安全性和可靠性的考虑，AW3208具备AW3206具备的其他所有功能和特点。
针对不同应用的手机充电系统兼容性设计考虑
针对不同的应用，手机充电系统的要求是不同的，有时可能还是彼此矛盾的。比如为了适应诺基亚适配器，需要OVP芯片的OVP电压要高于9V。但在中国国内，若 适配器的输出电压过高的话，国内的手机认证实验室的认证要求手机充电系统不能充电而处于功率电感器生产厂家保护状态。设计人员在面对这两种矛盾的要求时，往往只能设计两套不同的方案，如果有一种方案能同时兼容这两种矛盾的要求，对设计人员来说这个方案无疑是最佳的一个方案。
由于AW3206和AW3208引脚分布完全相同，同时从应用的角度来看，两颗芯片只是OVP电压不同，外围器件和原理图完全相同（见图3和图6），而且对手机平台来说，软件控制也是完全相同，所以AW3206和AW3208刚好通过一个兼容设计来满足上面的两个矛盾的要求。
对于设计人员来说，设计手机充电系统时，可先按图3或图6设计好原理图和PCB的Layout，设计好后只需更改BOM而不要更改PCB就可以满足不同的要求了。
一体电感生产厂
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目前，DSP以其卓越的性能、独有的特点，已经成为通信、计算机、消费类电子产品等领域的基础器件。同时，随着对知识产权的重视，在利用DSP进行产品设计时，如何保护自己的成果，防止破译者窃取，也成为设计者工 (1)使用反向积分器而没有使用高通滤波电路，使得调理电路通道带宽的低频截止频率不方便调节，不能有效滤除l～10Hz的低频噪声。(2)电极片极化电势差异会导致初级放大的输出和参考 在低频时，电感一般显示深圳电感，只储存能量，滤波器的高频特性。 但在高频率阻抗特性，这是显而易见的。采暖能耗，降低知觉现象的影响。不同的电感的高频特性都不。 铁氧体材料的解释： 铁氧体材料是铁
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