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图5 辐射复合（a）能带间的电子电洞对复合（b）若能带间有插件电感器缺陷电子会被缺陷捕捉（c）缺陷捕获的电子与价电带电动复合
光激发萤光量测
PL光谱仪主要架构有激发源、讯号接收器（spectrometer）、讯号处理器（computer）与低温系统，架构图如图6。
图6 PL光谱仪架构图
由于蓝光LED能带约在2.75 eV左右，激发源选用波长为325 nm（能量为3.8 eV）、375 nm（能量为3.3 eV）与405 nm（能量为3 eV） 大于其能帯之雷射，光谱仪扫描范围在350 nm到700 nm之间，另外由于温度对辐射复合的萤光强度有很大的影响，量测环境必须做温度控制。以量测蓝光LED为例，PL萤光光谱图如图7，激发源为波长405 nm雷射，蓝光LED波峰位置在461 nm，半高宽为25.2 nm。
图7 PL萤光光谱图
PL导入LED材料分析的功率电感优势
因PL快速量测的特性可适应LED产线上的生产速度，且以非接触与非破坏性的量测可确保样品不会在量测的过程中改变塬本的特性，配合mapping技术或将讯号接收器改为CCD，可得到样品空间分布的特性，得知制程的均匀性以回馈MOCVD的制程，于量测时不需电极可监控制成过程中每一个步骤的变化，此为PL量测技术导入LED Wafer产线的优势。
于LED元件设计及验证方面，以蓝光LED常用的材料氮化铟镓为例，由于在晶格常数与能阶宽度图中，连接氮化镓与氮化铟兩点的抛物曲线便一体电感是氮化铟镓，随着氮化铟镓中的铟含量增加，其能阶宽度变小［13，14］，所以可由PL萤光光谱波峰的位置，得知氮化铟镓中的铟含量，可借由调变激发源的塑封电感雷射强度与量测萤光光谱强度可拟合出LED发光效率的相关系数，电感器的参数进而求出LED的内部发光效率以提供元件设计之验证，量测时不需电极，在制程时任一步骤，皆可调变制程参数，或选用不同制程方式，比较PL萤光光谱以优化出最佳制程条件等优势。
结论
PL为一快速、非接触性、非破坏性之可量测样品空间分布的量测技术，无论在产品的量产和开发上都有很好应用。
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白光LED广泛用于小型液晶显示器(LCD)面板及键盘背光以及指示器应用。高亮度LED则用于手机和数码相机的闪光光源。这些应用需要优化的驱动器解决方案，能够延长电池使用时间、减小印制电路板(PCB)面积 实例设计 “表 1”所示规范为设计比较的基础。第一个设计使用一个耦合电感，而第二个则使用两个非耦合电感。一体成型电感使用一个耦合电感的设计是典型的 64W 输出功率车载输入电压范围。方程式1表明，耦 LED在手机的LCD背光中的广泛应用已经有若干年了。如今其应用正扩展到大面积的LCD应用，包括袖珍PC、汽车导航GPS、数字相框、可携式DVD乃至笔记型计算机。LED也正开始取代家用的、汽车和其它
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