低噪声放大器的设计

通常LNA的输入端要求匹配到50欧姆的实数阻抗。为了满足这一要求，CMOS低噪声放大器的输入级常用结构主要有四种：1)具有并联电阻输入的共源放大器；2)串并联电阻反馈放大器；3)源极电感跟随的共源放大器；4)共栅放大器。关于CMOS低噪声放大器的设计方法主要都集中在共源LNA上，而其中又以源极电感负反馈的共源极LNA最为普遍。对于这种结构低噪声放大器的设计，方法大致有三种：1)经典的设计法，以实现噪声匹配为目标，而往往忽视了输入阻抗的匹配，且会引起较高的功耗；2)基于功耗约束的设计法，该法实现了在满足给定功耗下达到最小的噪声系数；3)同时实现输入阻抗匹配和最佳噪声源阻抗匹配的设计法。

UWB接收机中LNA设计的最大难题就是在3．1～10．6GHz范围内实现输入阻抗的匹配。目前能够实现宽带匹配的放大器结构主要有以下几种：1)分布式放大器；2)电阻并联反馈；3)LC网络匹配的结构。但是这些结构都有其各自的缺点，分布式放大器功耗太大，电阻并联反馈网络则难以同时满足增益和噪声的要求，而LC网络匹配的结构会用到较多的电感，从而增大了芯片的面积。表1—1给出了国内外对于UWB低噪声放大器的研究现状【2】．[71，由该表可以看出目前对于UWB低噪声放大器的研究大多集中在0．18um的工艺上。

用场效应晶体管(FET：FieldEffectTransistor)构成有源电感的电路结构有很多种形式，其基本原理都是：采用场效应晶体管构成有源回转器电路，利用回转器具有将输入端口的电流相位“回转’’900，使电压相位超前于电流相位的性质，将晶体管的本征电容转化为电感。目前国内外对CMOS有源电感的研究表明，采用有源电感可以实现高达300多的品质因数，可被应用于滤波器和CMOS压控振荡器中。1

1 引言雷达信号模拟技术根据信号注入点不同分为射频信号模拟、中频信号模拟、视频信号模拟。信号注入点位置越靠前，模拟越复杂，越接近现实；信号注入点位置越靠后，模拟越容易，逼真程度越低。因此应根据实际需求

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当第一个交流脉冲的正半周电压输入时，如果开关电源变压器的伏秒容量足够大，磁通密度B将会沿着这条新的等效磁化曲线b-h进行，由上次剩余磁通密度Br的位置开始向新的最大值Bh=Br+2Bm攀升。但由于开

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