低噪声放大器

低噪声放大器是无线通信射频接收电路中的第一个有源电路。主要功能是将来自天线的微伏级的电压信号进行小信号放大后传输到下一级电路。因此，低噪声放大器的特性对射频接收系统的性能起着决定作用。长期以来，由于CMOS器件的高频段性能较差，低噪声放大器主要采用砷化镓和双极型硅这两种工艺来实现，而基带部分通常采用CMOS工艺实现。由于工艺的不兼容性，使得无线通信系统的片上集成较为困难。随着微电子技术的不断发展，MOS器件特征尺寸的不断减小，硅基CMOS工艺已经达No．1um下，MOS器件的高频特性也因此得以改善，利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路的技术亦得到广泛应用。而实现复杂无线通信系统单片集成的第一步是利用现有的CMOSI艺实现GHz的低噪声放大器(LNA)。

对于硅CMOS工艺低噪声放大器的研究是在1990年以后。在1997年Shaeffer发表的文章对低噪声放大器进行了详细的介绍，从结构到噪声计算，噪声优化，设计实例，参数分析等，随后关于CMOS工艺的低噪声放大器的研究越来越多，但大多局限于窄带应用。

2002年，美国联邦通信委员会(FCC)颁布了UWB(Ultra．Wide．Band)的频谱规划。由于其传输速率高，发射信号功率小，功率谱密度低，收发机易于数字化，适合于高速无线通信，因此得到了广泛关注，并被认为是下一代短距离高速率无线通信系统的方案。

FCC给出的频谱范围中最令人们感兴趣的频段就是3．1～10．6GHz，由于FCC对该频段的应用限制不是很严格，因此多种通信技术可以运用于此频段。目前在UWB技术领域主要存在着两大对立阵营：Motorola、XtremeSpectrum等公司提出的直接序列超宽带(DS-UWB)(图1—1(a))和Intel、TI等公司提出的多带一正交频分复用超宽带(MB．OFDMUWB)方案(图1一l(b))。前者将3．1～10．6GHzIJ分为两个连续的子频段；而MB．OFDMUWB方案的特点是在3．1～10．6GHz共7．5GHz带宽范围内，分成14个子带，每个子带需用528MHz的带宽。为了获得更多的支持票，两大阵营一直都在积极的采取各种活动。但是，无论哪种方案最终被采用，如此宽的频带对于UWB接收机前端的低噪声放大器的设计来说，都是极具挑战性的。该低噪声放大器必须满足多项严格的性能指标，其中包括能在整个宽频带范围内实现输入阻抗匹配以达到最低的回波损耗；提供足够的增益以抑制后续各级电路的噪声；附加尽可能低的噪声系数以提高接收机的灵敏度等等。1

1 引言雷达信号模拟技术根据信号注入点不同分为射频信号模拟、中频信号模拟、视频信号模拟。信号注入点位置越靠前，模拟越复杂，越接近现实；信号注入点位置越靠后，模拟越容易，逼真程度越低。因此应根据实际需求

贴片电感生产厂 在许多人对大功率电感的精度理解时分。我们最罕见到的电感线圈电感量的大小，他次要决议于线圈的直径、匝数及有无铁芯等。功率电感线圈的用处不同，所需的电感量也不同。例如，在高频电路中，线圈

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