增强硅中掺铒发光强度的途径研究

对于上述两种激发过程来说，电子空穴复合更有效，因为碰撞激发的截面为6×10-17cm2，而理想情况下(低温和低激发强度)e-h复合的截面可达5×10-15cm2。
处于激发电感器生产态的Er离子可以通过工字电感辐射复合和非辐射复合两种途径而退激发。由于的第一激共模电感器发态的辐射复合寿命相当长(1 ms)，非辐射退激发过程严重地削弱了发光强度。为了得到有效的发光，必须尽可能地消除或减弱非辐射复合的途径。对Er-Si系统来说，存在两类非辐射退激发过程：
(1)能量背转移，如图3(c)所示。Er退激发(过程1)所产生的能量背转移给Si(过程2)，激发Si价带电子跃迁到一个与Er有关的能级(过程3)；
(2)Auger退激发，如图3(d)所示．由过程1和过程2所产生的能量转移给Si中的导带电子，使其激发到高能态(过程3)。在第一种退激发过程中，Er退激发的能量为0．81 eV，与Er有关的能级位于导带底以下约0．15 eV处，价带电子激发到该能级的能量处，与0．81 eV尚差0．15 eV，这一能量需要靠声子来提供，因此能量背转移过程是热激活的，与温度关系较大；而第二种退激发过程由于是将能量升压电感器转移给自由载流子，因此与样品中的载流子浓度相关。
一体电感由于Er在Si中表现出较强的施主行为，Auger退激发过程在高掺Er的材料中更为重要，另外在PL中，如果入射光很强，导致样品中载流子浓度增加很多，Auger退激发过程也会占主导地位。

2 影响掺铒硅发光效率存在的问题
虽然在20年前人们就已经实现了掺铒硅的电致发光，但直到目前仍制约着掺铒硅的实用化，主要存在以下问题。
首先，铒在单晶硅中的固溶度很低，Er3+的浓度小。Michel等很早就提出铒在硅中的固溶度不超过1×1018cm-3。尽管当时考虑了杂质的影响，后来的研究表明，还是过高地估计了铒在硅中的固溶度。离子注入实验研究表明，超过一定浓度后，经退火后会形成无光学活性沉淀ErSi2。Serna等通过MBE生长的样品经退火研究表明，超过一定浓度后铒会聚集到表面附近。实际上，铒在纯净的单晶硅中的平衡固溶度还没
有定论，不过已有证据表明不会超过2×1016cm-3。要满足实用要求，Er3+浓度至少要达到1×1018cm-3，因此Er3+的浓度成为限制掺铒硅发光效率的一个主要因素。其次，掺铒硅中具有光学活性的铒所占比例低。
Michel等认为，铒在硅中主要为+2价态，不具有光学活性，就铒在硅中价态这一点来说仍有很大争议。一般认为铒在硅中主要为+3价态，只是缺乏有效的激发通道或存在高效的无辐射退激发。此外，铒在硅中也像其他重金属元素一样会在禁带中引入深能级，这在很大程度上减少了起激发Er3+作用的电子-空穴对的数量，从而大大降低了掺铒硅的发光效率。掺铒硅的发光效率主要受哪种机制影响目前仍然不清楚，也可能是上述几种机制共同起作用。
最后，掺铒硅发光存在严重的温度碎灭。Kik等人证明掺铒硅体系在温度150 K下的发光强度比在12 K时下降了1 000倍，而室温下几乎探测不到发光，分析发现温度碎灭主要由退激发过程中的俄歇过程和能量背传递过程引起的。因此温度碎灭现象成为制约实用化的最主要因素。

3 提高掺硅发光效率的途径
根据掺铒硅激发、退激发和猝灭的原理，提高其发光效率的途径有：
(1)提高Er3+离子掺杂浓度。掺铒硅激发过程由载流子辅助时，其激发截面可达3×10-15cm2。而Er3+直接光子吸收激发截面只有8×10-21cm2。因此，提高Er3+离子掺杂浓度、并有效激活Er3+离子成为研究热点。目前，通过离子注入、IBIEC和杂质(O，F和C等)共注入可使Er掺杂浓度达1×1020cm-2量级。
(2)共掺氧或其他轻元素改善掺铒硅材料发光性能。由于掺铒硅发光材料存在的上述问题，利用该材料很难实现硅基光源，更无法应用于光电子集成领域，不过，Michel等通过将铒掺人直拉硅Cz-Si(含氧量高)和区熔硅FZ-Si(含氧量低)中，发现掺铒Cz-Si不仅发光效率提高，而且能更好地抑制温度碎灭效应。后来众多的铒氧共掺实验均得到了相似的结果，氧被认为能对饵的发光起重要作用，共掺氧也被认为是一种改善掺饵硅发光性能的有效手段，研究人员已经从各个方面讨论了氧的作用：共掺氧或其他轻元素(C，N，F)可以大大提高饵在硅中的固溶度，且已接近3×10-11cm-3；共掺氧可增强饵的光学活性，且有利于在铒中心处形成束缚激子；共掺氧可以引入起发光通道作用的施主能级。 1

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