功率电感(3)拓宽Si带隙。Si带隙拓宽后，反向热激活的能量传递过程需更大的△E，降低了反向能量传递的几率，即提高了发光效率。拓宽Si带隙的方法有多种。如将Er掺入氢化非晶硅以及多孔硅等中。但这种非晶材料有两个缺陷：其一是这些非晶材料丧失了晶体Si电感器生产优异的输运特性，电感元件至今未得到强的室温EL；其二是H钝化的材料不能用于超过350～400℃温度的场合，明显与标准的Si工艺不相适应。因此，最近又提出将Er掺入纳米晶Si中，则既可保留Si的优良传输特性，又可与Si工艺匹配。有实验结果表明，3×1020Er／cm3掺入纳米Si的PL比掺入SiO2的增强了2个数量级。
4 前景展望
综上所述，差模电感器人们对掺铒硅基材料的发光已经做了广泛的研究，并取得了较大的进展。目前人们已经得到了掺铒硅基光纤放大器，而且成功制作出强烈室温发光的异质结双极性三极管。Michel等早在电感厂家1996年就已经论证了利用掺铒硅基发光材料实现硅基光电子集成的可行性，随着对掺铒硅基发光材料的深入研究，硅基光电子集成的实现不再遥远。
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在无线系统中，功放(PA)线性度和效率常是必须权衡的两个参数。工程师都在寻找一种有效而灵活的基于Volterra的自适应预失真技术，可用于实现宽带RF功放的高线性度。本文将概述不同数字预失真技术，介绍 产品描述：非晶合金油浸式配电变压器室我公司根据市场需要及时推出的新一代节能、环保、免维护产品，可取代硅钢片铁芯配电变压器，用于户外或户内的配电网络系统。由于其突出的节能特点，受到了广大用户的欢迎。其性 1.插入损耗特性： 共模扼流圈插入损耗特性是由其在干扰频谱一体成型电感器厂下的阻抗特性来衡量的。当频率范围为0.01~1MHZ时，阻抗主要取决于线圈电感L。当频率范围为1~10MHZ时，阻抗主要
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