最近几年全球各国对环保、省能源等能源议题越来越关心，因此间接牵动这些领域的投资与技术开发，在这之中又以太阳电池、锂离子电池、SiC功率晶体管、白光LED最受注目，一般认为上述计划在国家规模的支持下，今后可望成为高度成长的领域。
白光LED已经从移动电话、液晶电视背光模块，正式跨足进入医疗、汽车、植物栽培等一般应用照明领域，国外业者甚至推出平价60W等级的白光LED灯泡，这类使用复数个白光LED的新世代照明光源，正快速取共模电感代传统荧光灯与白热灯泡。
有关液晶电视背光模块或是大型照明，使用数量众多的白光LED，必须同时兼具成本与性能的传统课题，日本业者普遍认为2011年可望实现0.5日圆/lm、200lm/W的预定目标，其中芯片性能的提升、荧光体、封装技术的开发，一直扮演关键性的角色。可靠性是白光LED另外一项重要课题，它包含单大电流电感体LED的耐久性，以及复数白光LED同时点灯时的辉度分布等等，为克服这些问题，国内外厂商已经积极展开技术开发。
有关白光LED的耐久性亦即LED的劣化，一般认为光束、封装，以及芯片的时间性劣化，是造成寿命降低的主要原因，然而实际上这些劣化要因错综复杂，因此劣化模式的分析非常困难，特别是白光LED的寿命很长，不易进行劣化试验。传统劣化试验例如：电流加速试验、温度加速试验、加速耐候试验等等，接着本文要介绍“过电压劣化试验”的结果，以及白光LED劣化的分析结果。
分析方法与评鉴项目
图1是典型照明用白光LED的基本结构与劣化要因一览；表1是GaN系LED与相关材料主要评鉴项目，以及分析手法一览。穿插式电子显微镜(TEM；Transmission Electron Microscope) 可以根据LED的断面结构直接观察转位与缺陷，劣化分析时微细部位的歪斜、应力、成分、载子浓度、缺陷评鉴非常重要，特别是奈米等级的载子浓度与缺陷评鉴分析，一般都使用：扫描型探针显微镜(SPM；Scanning Probe Microscope)、扫描型扩散阻抗显微镜(SSRM；Scanning Spread Resistance Microscopy)、扫描型容量显微镜(SCM；Scanning Capacitance Microscopy)、阴极发光法 (CL；Cathodo Luminescence)。
有关树脂与荧光体结构的评鉴，一般认为使用：傅立叶红外分光法（FT-IR；Fourier Transform Infrared Spectrometer）、固体核磁共鸣法（固体NMR；Solid-State Nuclear Magnetic Resonance）、拉曼 (Raman) 分光法可以获得预期效果。
芯片劣化的评鉴
有关GaN系组件的问题点，由于它的缺陷密度比GaAs系高5位数，而且缺陷与转位问题非常严重，一般认为LED芯片的缺陷与转位，对LED的劣化、耐久性等特性具有直接、重大的影响。传统在蓝宝石基板上长膜的GaN单结晶膜，由于蓝宝石基板与GaN的格子定数差异极大，因此强大的压缩应力对GaN膜层有相关性，这也是形成缺陷与转位主要原因。最近业者大多改用格子定相近的SiC单结晶晶圆，或是格子定数相同的GaN单结晶晶圆长膜，制作低缺陷、低转位高质量的GaN磊晶(Epitaxial)。
获得白色光源的方法有两种，分别是蓝光LED与黄色荧光体组合的拟似白光方式，以及高演色白光方式。拟似白光方式，主要是蓝光LED组合黄色荧光体，构成拟似白光的LED，蓝光LED芯片产生的蓝光一旦被黄色荧光体吸收，荧光体会产生黄光一体成型电感器，该光线再与未被黄色荧光体吸收的蓝光混合，形成所谓的拟似白光，该白光LED的发光频谱具有白光与蓝光二种峰值。
高演色白光方式，主要是蓝光LED组合绿色与红色荧光体，形成高演色白光LED模压电感器，蓝光LED产生的蓝光一旦被荧光体吸收，绿色荧光体会产生绿色光线，红色荧光体则产生红色光线，该绿色光线再与红色光线，以及未被荧光体吸收的蓝光混合形成拟似白光，该白光LED的发光频谱具有红、蓝、绿三种领域的峰值，色再现性也比上述拟似白光方式优秀。
拟似白光方式使用的典型蓝光LED断面结构如图2所示，发光层是由膜厚100nm以下GaN系化合物半导体叠层电感量子井构成，发光时会形成缺陷与转位，它也是LED劣化原因之一。
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