|
图3是在蓝宝石基板上制作GaN单结晶薄膜时，面内CL强度分布范例，由图可知分别在360nm与560nm附近，可以发现GaN能隙之间的发光，与造成缺陷的「黄色瑕疵」发光光线。图3(a)是GaN单结晶薄膜利用平面扫描型电子显微镜(SEM；Scanning Electron Microscope)观察时的影像；图3(b)是360nm附近光线的强度分布；图3(c)是发光线的强、弱部位的CL频谱分布特性。图3(b)是发光强度降低的暗带，特别是在360nm附近，能隙之间的发光强度会降低，此时若与能隙之间的发光比较，560nm附近的黄色瑕疵发光电感器大小强度反而会变强。
根据以上结果证实在黑点明亮部位结晶性会降低，其结果造成无辐射迁移的机率增加，能隙端的发光强度则明显降低。
图4是从断面方向测试时，CL强度分布的加速电压相关性，图中可以观察到贯穿膜厚方向明暗的纹缟模样，由此可知电压加速降低时纹缟模样鲜明，而且还可以获得高空间分辨率的强度分布。
贯穿膜厚方向CL强度明暗纹缟模样，与图5穿插式电子显微镜(TEM)观察到的贯穿转位周期一致，反过来说上述图3单结晶面内，观察到的300nm周期的纹缟模样，正反映此贯穿转位周期，由此证实使用阴极发光法 (CL)，能够以奈米等级清楚观察到缺陷与转位的分布。
图6是上述图2蓝光LED施加电压劣化时，使用扫描型扩散阻抗显微镜测试该LED断面的结电感生产果。扫描型扩散阻抗显微镜是以接触型原子间力显微镜(AFM；Atomic Force Microscope) 为基础，再利用导电性探针与大范围放大电路构成。扫描型扩散阻抗显微镜利用接触试料工字电感表面模式的原子间力显微镜回馈，强化旋臂探针触压（加大负荷）的扫描分析手法，由于它使用高导电性探针，检测施加至试料时偏压电压在接触位置形成的微电流，因此可以正确掌握试料表面局部性阻抗分布。
根据图6扫描型扩散阻抗显微镜的测试结果，证实劣化LED的p型clad层内，V型凹孔的高低阻抗领域有增加趋势，由于V型凹孔是在InGaN量子井结构内发现的特征性缺陷，因此又称作“V型瑕疵”，由图6(a)、(b)的比较可知，施加过电压时V型瑕疵会增加。
图7是利用阴极发光法(CL)测试蓝宝石基板上已掺杂硅的GaN薄膜结果，阴极发光法主要是观察量子井（以下简称为活性层），以及蓝宝石基板与clad层之间缓冲层造成的波长为463nm、360nm附近的光线。463nm活性层造成的发光光线强度分布如图7(a)、(b)所示，图7(a)、(b)同时也是未通电与劣化组件的CL强度分布特性；图7(c)是未通电与劣化组件的CL频谱特性。
根据图7(a)、(b)可知劣化组件，强度降低的暗带有增加趋势，换句话说暗带会随着施加电压，贯穿转位与V型瑕疵数量明显增加，结晶性降低则造成无辐射迁移的机率增加，最后导致强度降低。若仔细观察图7(c)的频谱，严重劣化组件的CL频谱，463nm活性层产生的发光光线几乎完全没有发现。除此之外研究人员还针对日本新能源与产业综合技术开发机构(NEDO；New Energy and Industr功率电感ial Technology Development Organization)提案的“利用近场的次世代阴极发光法(CL；Cathodo Luminescence)与拉曼(Raman)分光仪"计划，开发利用近场光的“阴极发光法”与&ld一体成型电感器quo;拉曼分光仪”。
该计划还应用紫外共鸣拉曼效应与特殊形状的探针，开发紫外雷射光激发近场共鸣拉曼分光仪，全球首度成功以100nm以下空间分辨率评鉴硅的应力，目前研究人员正检讨应用在化合物半导体的评鉴。有关InGaN的量子井结构，使用上述新开发的阴极发光法分光仪，能够超越传统阴极发光法100nm的空间分辨率极限，以10nm的空间分辨率，检测InGaN的量子井结构内部「V-defect」周围的成分变化。
1
替换反向积分器反向积分器的作用是消除最终端的直流偏置和低频噪声，其功能可以由一阶无源高通滤波电路代替。该滤波器放在初级放大和二级放大之间，还可以隔离初级放大输出端的 多定子直线感应电机模型多定子直线感应电机通常采用Ⅳ(Ⅳ≥2)台定子绕组上下层叠布置共用同一个次级的结构形式，如图2所示。结构形式的不同，使得多定子直线感应电机与单定子 电生磁、磁生电，两者相辅相成，总是随同显示。当一根导线中拥有恒定电流流过时，总会在导线四周激起恒定的磁场。当把这根导线都弯曲成为螺旋线圈时，应用电磁感应定律，就能断定，螺旋线圈中发生了磁场。将这个螺
上一篇： 自制逻辑检测器
下一篇：功率电感器
2/4 首页 上一页 1 2 3 4 下一页 尾页 |
