CMOS工艺中有源电感的优化

本论文的主要目的是研究接收机前端低噪声放大器的优化设计以及CMOS工艺中有源电感的优化，文章结构如下：首先，对噪声理论进行了分析。噪声无处不在，它的存在对电路的性能有重大的影响，要减小噪声的作用，就要了解噪声的来源及其产生机理。其次，探讨了线性度理论。线性度是低噪声放大器的又一项重要的性能指标，主要通过ldB压缩点和IIP3这两种方法来表征。

第三，运用ADS仿真工具，对如何实现共源共栅结构LNA的最佳噪声源阻抗和输入阻抗的同时匹配进行研究探讨，并给出了仿真实例。在许多应用中窄带是被期望的，而源极电感跟随的共源共栅结构是CMOS低噪声放大器中最常用的结构，本文研究了如何利用ADS仿真工具对该结构的LNA进行优化设计。

第四，运用TSMCO．18urn工艺对超宽带低噪声放大器进行电路设计。首先给出了几种低噪声放大器的常用结构，并对其优缺点进行分析。然后针对选取的结构进行了噪声分析和电路优化设计，并给出了仿真结果。

最后，分析了有源电感的基本理论，比较了现有的几种改善有源电．感品质因数的方法，并在共源一共漏有源电感的基础上提出了一种改进等效品质因数的方法，最后给出了仿真结果。

随着人们对高空的兴趣发展和研究需要，越来越多的科学实验被科研人员搬到了空中进行，气球探空和无人机实验是比较典型的方法。这些科学实验往往需要在一定的实验条件到达时触发某特定实验现象，从而对发生时间非常短

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