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在许多情形中，噪声是用谱密度而不是用总值来说明的，并且它是均方噪声除以af(或者rillS噪声除以V的平方根)。在室温下，一个1施的电阻在1Hz的带宽上产生大约4nV的rms噪声，该电阻的rms噪声谱密度约为4nV／√瓦。对于热噪声，谱密度是一个只与温度有关的常数，而与频率无关。
每一个实际的电阻都有一个与它相对应的噪声源。对于电阻的热噪声模型我们可以表示成戴维宁等效模型，即像图2—1中一样，表示成一个电压源与这个电阻相串联。另一种方法是我们可以建立一个诺顿等效模型，即一个噪声电流源与一个电阻并联。图2—2给出了电阻的这两种噪声模型。注意，噪声电压源中的极性标志和噪声电流源中的箭头只是参考而已，他们并不表示噪声具有特定不变的极性。
由于噪声来自于导体中电荷的随机热激励，所以减少一个给定的电阻噪声的唯一方法是保持温度尽可能低，并把带宽限制到最小有用的范围。除了漏极电流噪声以外，沟道电荷的热激励还有另一个重要的结果一一栅噪声。波动的沟道电势通过电容耦合到栅端，引起栅噪声电流。尽管这一噪声在低频时可以忽略，但在射频时它可能占主要地位。栅噪声可以表示成.
虽然长沟道器件的噪声特性已被很好的理解，但短沟道情况下万的精确特性现在还不清楚。然而在已知栅噪声和漏噪声都具有一个公共的来源时，作为一个粗略的近似，可以合理的假设6仍然是Y的两倍大。正如短沟道NMOS器件Y的典型值为2～3那样，6可以取为4．--6。 1
R1,R2,RP1,RP3,门1.门2组成电池电压检测电路，其中，RP1调节电池放电终止电压，RP2调节电池充电终止电压。LED1(绿色)，LED2(红色)分别作充电终止指示和电终止指示。晶体管VT和 在执行调光控制时，LinkSwitch-PL器件会同时检测输入电压过零点和可控硅调光器的导通角。输入电压过零点的检测是通过漏极节点内部完成的。控制电路会处理此数据并设定需要的反馈电压，从而设定LED 机车电抗器是用于高铁牵引变流器前后端的重要滤波部件，其阻抗频谱特性分析是机车电抗器设计的重要指标，决定电抗器的滤波范围和牵引变流器的输出特性。针对提高机车配套设施设
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