所谓“溅射”是指荷能粒子轰击固体表面(靶)，使固体原子(或分子)从表面射出的现象。溅射出的粒子大多呈原子状态，常称为溅射原子，用于轰击靶的荷能粒子可以是电子、离子或中性粒子，因为粒子在电场下易于加速并获得所需动能，因此大多采用粒子作为轰击粒子，该粒子称为入射粒子．由于直接实现溅射的机构是离子，所以这种镀膜技术又称为离子溅射镀膜或淀积。溅射这一物理现象是130多年前现已广泛的应用于各种薄膜的制备之中。如用于制备金属、合金、半导体、氧化物、绝缘介质薄膜，以及化合物半导体薄膜、碳化物及氮化物薄膜，乃至高Tc超导薄膜等。
溅射镀膜基于荷能离子轰击靶材产生溅射，而整个溅射过程都是建立在辉光放电的基础上的，即溅射离子都来源于气体放电。不同的溅射技术所采用的辉光放电方式有所不同。直流二级溅射利用的是直流辉光放电；三级溅射是利用热阴极支持的辉光放电；射频溅射是利用射频辉光放电；磁控溅射是利用环状磁场控制下的辉光放电。溅射过程包括靶的溅射、溅射粒子向基片的迁移和在基板上成膜的过程。
溅射技术的最新成就之一是磁控溅射，以磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高电子对工作气体的电离几率和有效的利用电子的能量。由于在磁控溅射中引入了正交磁场，使离化率提高到5～6％，于是溅射速率可以比三级溅射提高10倍左右，有些材料的磁控溅射速率达到了电子蒸发的水平。而且因为仅正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更有效，同时利用电场与磁场正交的磁控原理束缚了电子，使它只能在其能量要耗尽时沉积在基片上，可以避免二次电子轰击基片，让基片保持接近冷态，这对使用单晶和塑料基片具有重要意义。可见，磁控溅射具有“低温”，“高速”两大特点，又称高速低温溅射技术。通常，平面磁控溅射的工作参数为：溅射电压300～800V，电流密度4～50mA／cm2，氩气压力0．13～1．3Pa，功率密度1～36W／cm2，基片与靶的距离为4～lOcm。在上述工艺条件下，一般单元素材料的淀积速率为103～10'／t&W·min，比一般溅射的淀积速率提高了一个数量级，达到蒸发镀膜和离子镀1
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