| 采用β-Ga2O3制作底板时，可使用FZ法及EFG法等溶液生长法，这也是其特点之一。溶液生长法容易制备结晶缺陷少、尺寸大的单结晶，可以低成本轻松实现量产。首先利用FZ法或EFG法制备单结晶，然后将结晶切成薄片，以薄片为基础制造底板。用于制造蓝色LED芯片的蓝宝石底板就是利用EFG法制造的。蓝宝石底板不仅具备价格便一体成型电感器生产商宜、结晶缺陷少的优点，而且尺寸较大，可为6~8英寸。而SiC底板的基础即单结晶需利用升华法制造，GaN底板的基础“单结晶”需利用HVPE法等气相法制造，在减少结晶缺陷和大尺寸化方面应用难度较大。NICT研究小组已利用FZ法制成晶体管所需的β-Ga2O3底板，只要导入与蓝宝石底板相同的大型制造设备，有望利用EFG法生产6英寸直径的底版。
此外，NICT研究小组还试制出元件电阻降低的β-Ga2O3底板LED芯片。该芯片的工作电压低，能够减少大电流驱动时的发热量。该芯片的热阻很低，样品的热阻不到0.1℃/W，仅为同尺寸横向结构现有产品的1/10~1/100。同时，该芯片的电流分布非常均匀。为了调查芯片电流分布情况，小组 研究了1mm2的LED芯片内部的面内温度分布。结果显示，即使元件温度平均上升70℃，芯片内部温差最大只有7℃。由此可见，使用β-Ga2O3底板的LED芯片非常适合大电流用途。NICT研究小组希望在2012年内推出产品，将这种底板用于LED产品，朝着产业化方向进发。
β-Ga2O3不仅可用于电力半导体，而且还可用于LED芯片、各种功率电感传感器元件及摄像元件等一体电感制作，应用范围很广。其中，使用GaN半导体的LED芯片底板最被看好。值得一提的是，β-Ga2O3适合需要大驱动电流的高功率LED。GaN基LED芯片被广泛应用于蓝色、紫色等光线波长较短的LED。其中，蓝色LED芯片是白色LED的重要基础部件。GaN基蓝色LED芯片是在蓝宝石底板上制造的。与现有蓝宝石底板相比，β-Ga2O3底板的性能更加优异，紫外光及可见光的透射率均为80%，电阻率约为0.005Ω·cm，具有良好的导电性。通常，底板的透射率越高，越容易将LED芯片发光层发出的光提取到外部，从而提高光输出功率及发光效率;由于底板具备高导电性，可采用在LED芯片表面和背面分别形成阳极和阴极的垂直结构
近年来，GaN电力半导一体电感器生产厂家体的研发日益活跃。与采用Si电力半导体相比，GaN电力半导体应用于逆变器、转换器等的电力转换装置，可大幅提高效率，并实现小型化。富士通研究所与古河电气工业等组成的企业集团、美国IR公司、日本三垦公司、NEC与NEC电子组成的企业集团以及松下公司均已着手研发该类产品。
目前，GaN电力半导体研发的焦点之一是底板的选择。GaN底板有助于提高GaN电力半导体的电气特性，但价格较高。为了控制成本，越来越多的厂商选择采用Si底板和SiC底板等特殊底板。GaN电力半导体之所以能够提前进入产业化阶段，是因为在降低制造成本和改善特性方面取得进展。降低成本的关键在于使用Si底板和SiC底板等比GaN底板价格便宜的新型底板。在GaN底板上制造GaN电力半导体，虽然能够获得很好的电气性能，但是GaN底板的价格约为Si底板的100倍。另外，GaN晶圆的直径只有2英寸，难以降低制造成本。
除Si底板外，还可以采用SiC底板低成本制造GaN电力半导体，可利用的最大直径为4英寸。日本富士通公司研究显示，考虑到元件的成品率等因素，采用SiC底板制造GaN电力半导体可能比使用Si底板成本更低。
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